浅沟槽隔离刻蚀和多晶硅栅极刻蚀是定义半导体器件尺寸的关键工序，微小的形貌和尺寸差异都会影响器件性能。必须精确控制整个晶圆的、晶圆与晶圆之间的、批次 与批次之间的、设备与设备之间的均匀性和一致性。另外，随着技术节点的进步，对刻蚀形貌、关键尺寸、线宽粗糙度和残留物控制的要求越来越严格。为了应对上 述挑战，需要对刻蚀工艺各项参数进行精确控制，对刻蚀机台各模块的性能提出严格的要求。具备可调节密度分布的等离子体源、精确的离子能量控制，多区静电卡 盘技术、多区进气系统等功能，才能应对半导体集成电路刻蚀工艺的要求。