随着器件尺寸的不断缩小，沟槽的深宽比越来越大，对硬掩膜材料提出了更高的要求。传统的双大马士革工艺所采用的氮化硅或氧化层掩膜，由于和低k介电层之 间的选择比不高，会导致在刻蚀完成后出现低k介电层顶部圆弧状轮廓以及沟槽宽度扩大，导致完成的金属线之间的间距过小，容易发生金属连线之间的桥接漏 电或者金属连线之间的直接击穿。因此，传统掩膜已经无法满足在沟槽刻蚀的同时保护沟槽之间低k介质的要求，为了消除这一问题，引入了TiN金属硬掩膜双大 马士革工艺。传统的金属刻蚀机台无法满足TiN刻蚀需求，必须要开发出满足TiN硬掩膜刻蚀要求的新一代金属刻蚀机。