随着半导体工业迈入更先进技术节点，新材料和新器件结构的引入，对各个工艺制程带来了全新的挑战。对刻蚀而言主要是高k介质、金属栅材料以及三维器件结构，这些新材料和结构的引入，对刻蚀机台提出了更高的要求。另一方面，当图形尺寸缩小到先进制程时，隔离沟槽（STI）刻蚀的深宽比将会达到20：1以上。这时候由于关键尺寸变化所产生的影响将不可忽略，与沟槽深宽比相关联的刻蚀负载效应会导致沟槽刻蚀深度的不均匀性。传统的连续波等离子体刻蚀已经无法满足这一要求。因此，采用脉冲等离子体设计，有效改善负载效应和等离子体损伤，对于先进刻蚀工艺是十分必要的。